安富利（深圳）商贸有限公司

制造商
IDT, Integrated Device Technology Inc
制造商零件编号
70V25L25PFGI
描述 IC SRAM 128KBIT 25NS 100TQFP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
制造商标准提前期 10 周
详细描述 SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 128Kb （8K x 16） 并联 25ns 100-TQFP（14x14）
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 双端口，异步
存储容量 128Kb （8K x 16）
写周期时间 - 字，页 25ns
访问时间 25ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 100-LQFP
供应商器件封装 100-TQFP（14x14）
基本零件编号 IDT70V25
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而在电芯成组之后系统能量密度差距有所减少，原因是国内电芯产品主要为方形铝盒或软包电芯，单体容量较大，成组系统所需外部辅助装置较少，而国外以18650钢壳电芯为主，单体容量相对较小，成组系统所需外部辅助装置复杂，因此外加质量较大。