安富利（深圳）商贸有限公司

制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT49H32M9BM-25:B TR
描述 IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
详细描述 DRAM 存储器 IC 288Mb （32M x 9） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 DRAM
存储容量 288Mb （32M x 9）
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 20ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度 0°C ~ 95°C（TC）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 144-TFBGA
供应商器件封装 144-μBGA（18.5x11）
基本零件编号 MT49H32M9
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锂电池作为新能源汽车主流动力源，成本占比达到新能源汽车的40%，国内外尤其重视锂电池技术的发展，从国内外电芯产品及系统模组的能量密度比较来看(数据取行业平均值)，我国的电芯技术与国外主流企业仍存在明显差距。而在电芯成组之后系统能量密度差距有所减少，原因是国内电芯产品主要为方形铝盒或软包电芯，单体容量较