安富利（深圳）商贸有限公司

检查提前期
制造商
IDT, Integrated Device Technology Inc
制造商零件编号
70V05S55PF8
描述 IC SRAM 64KBIT 55NS 64TQFP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
详细描述 SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 55ns 64-TQFP（14x14）
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 後搶購
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 双端口，异步
存储容量 64Kb （8K x 8）
写周期时间 - 字，页 55ns
访问时间 55ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 64-LQFP
供应商器件封装 64-TQFP（14x14）
基本零件编号 IDT70V05
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从上表可以看出国内锂电池系统寿命约为5年/10万公里，而国外约为8年/16万公里，锂电池产品使用寿命一方面是受电芯产品质量的问题，而国内外BMS的差距同样是造成这样结果的主要因素之一。同样良好的BMS系统同样可以帮助新能源汽车在续航里程上占据优势，以特斯拉与国内比亚迪e6为例。