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DMN3150L-7介绍:
描述 MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3
制造商标准提前期 32 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 28V 3.8A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 28V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 2.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.4V @ 250μA
Vgs(值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 305pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散(值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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晶体管在电路常用的用途应该是属于信号放大这一方面,其次是阻抗匹配、信号转换等,晶体管在电路中是个很重要的元件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
成立於1966年,是美国Nasdaq上市企业,为敦南科技转投资企业,主要从事半导体分立元件制造生产,Diodes Inc.与光宝集团具备合作夥伴关系,双方共同开发、生产及分销产品,服务厂商包括通讯、电脑、工业、电子产品和汽车工业等。