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NTJD4001NT1G介绍:
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
制造商标准提前期 37 周
详细描述 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 250mA 272mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 250mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 1.5 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 1.3nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 33pF @ 5V
功率 - 值 272mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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在双极性晶体管中,射极到基极的很小的电流,会使得发射极到集电极之间,产生大电流;在场效应晶体管中,在栅极施加小电压,来控制源极和泄极之间的电流。在模拟电路中,晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路;在计算机电源中,主要用于开关电源。
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