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FDD24AN06LA0介绍:
描述 MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
制造商标准提前期 16 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 7.1A(Ta),40A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench®
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.1A(Ta),40A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 19 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 21nC @ 5V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1850pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 75W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件