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SIR164DP-T1-GE3介绍:
描述 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
制造商标准提前期 27 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK® SO-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 2.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 123nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 3950pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(值) 5.2W(Ta),69W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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晶体管在使用上有许多要注意的额定值,例如电压、电流、功率。在超额的状态下使用,晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪讯比等,可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
因为箔电阻、光应力材料和应变计的市场相对比较小,公司决定拓展高容量电阻业务。 从1985年开始,威世收购了达勒电子(dale Electronics)、迪劳瑞电子( Draloric Electronics)和思芬尼(Sfernice)。这些收购使得公司的销售获得了极大的增长。