安富利（深圳）商贸有限公司

HGTG11N120CND介绍：

描述 IGBT 1200V 43A 298W TO247

详细描述 IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装    管件  

零件状态 不適用於新設計

IGBT 类型 NPT

电压 - 集射极击穿（值） 1200V

电流 - 集电极（Ic）（值） 43A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 80A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.4V @ 15V，11A

功率 - 值 298W

开关能量 950μJ（开），1.3mJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 100nC

25°C 时 Td（开/关）值 23ns/180ns

测试条件 960V，11A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 70ns

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

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