安富利（深圳）商贸有限公司

SI4925BDY-T1-E3介绍：

描述 MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

制造商标准提前期 33 周

详细描述 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 5.3A 1.1W 表面贴装 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装   带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.3A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 25 毫欧 @ 7.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） -

功率 - 值 1.1W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SO

基本零件编号 SI4925

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

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