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DS1230Y-70介绍:
描述 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
制造商标准提前期 6 周
详细描述 NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 70ns 28-EDIP
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Maxim Integrated
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
存储器类型 非易失
存储器格式 NVSRAM
技术 NVSRAM(非易失性 SRAM)
存储容量 256Kb (32K x 8)
写周期时间 - 字,页 70ns
访问时间 70ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 通孔
封装/外壳 28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商器件封装 28-EDIP
基本零件编号 DS1230Y
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
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首先应用可编程定时器8253的计数器1,每隔1⒌12μs产生DMA请求,该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时,DMA控制器送出到刷新地址信号,对动态存储器执行读操作,每读刷新一行。
Maxim是模拟、混合信号、高频及数字电路设计、研发、制造的,所提供的产品能够实现上述数字内核与周边系统的连接。它们在世界范围内拥有大约35,000个大型客户。