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会员年限:7年
RJH1CF4RDPQ-80#T2介绍:
描述 IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 IGBT 1200V 40A 156.2W Through Hole TO-247
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿(值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(值) 40A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.5V @ 15V,20A
功率 - 值 156.2W
开关能量 -
输入类型 标准
25°C 时 Td(开/关)值 -
测试条件 -
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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晶体管比电子管体积小很多,需要空间比电子管小很多,电器使用晶体管可以做的很小。晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。