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RTL030P02TR介绍:
描述 MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 3A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 8nC @ 4.5V
Vgs(值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 760pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(值) 1W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 70 毫欧 @ 3A,4.5V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TUMT6
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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MOSFET并非模拟电路设计工程师的,因为模拟电路设计重视的性能参数,如晶体管的转导(transconductance)或是电流的驱动力上,MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随著MOSFET技术的不断演进,今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。