安富利（深圳）商贸有限公司

制造商

Microsemi Corporation

制造商零件编号

APTC60HM35T3G

描述 MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 32 周

详细描述 Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Microsemi Corporation

系列 -

包装 ? 散装 ?

零件状态 在售

FET 类型 4 个 N 通道（H 桥）

FET 功能 标准

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 72A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 35 毫欧 @ 72A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.9V @ 5.4mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 518nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 14000pF @ 25V

功率 - 值 416W

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 底座安装

封装/外壳 SP3

供应商器件封装 SP3

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