安富利（深圳）商贸有限公司

制造商

Microsemi Corporation

制造商零件编号

APTGT50DH120TG

描述 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 32 周

详细描述 IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4

类别 分立半导体产品

晶体管 - IGBT - 模块

制造商 Microsemi Corporation

系列 -

零件状态 在售

IGBT 类型 沟槽型场截止

配置 非对称桥

电压 - 集射极击穿（值） 1200V

电流 - 集电极（Ic）（值） 75A

功率 - 值 277W

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.1V @ 15V，50A

电流 - 集电极截止（值） 250μA

不同 Vce 时的输入电容（Cies） 3.6nF @ 25V

输入 标准

NTC 热敏电阻 是

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 底座安装

封装/外壳 SP4

供应商器件封装 SP4

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可采用任意纵横比的点焊、甚至于具有方形截面的焊缝都不再是难以攻克的障碍。焊缝耐寒耐热，内外部结果均显示这类温度冲击荷载对焊接连接的阻力无影响。