安富利（深圳）商贸有限公司

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFS7530TRL7PP
描述 MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 22 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®，StrongIRFET™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 240A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.7V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 354nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12960pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 375W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.4 毫欧 @ 100A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK（7-Lead）
封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）
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当下三星正欲进一步发展自己的手机芯片业务，推出了中端的手机芯片Exynos7870等，向中国的手机企业联想、魅族等推售它的手机芯片，以与高通、联发科等手机芯片企业竞争。作为对比的是，Intel在移动处理器市场基本失败，剩下的基带业务仅有苹果采用，在基带技术上对比三星并没有的优势