安富利（深圳）商贸有限公司

UM5K1N介绍：

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 2 N 沟道（双）共源

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 8 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 13pF @ 5V

功率 - 值 150mW

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

供应商器件封装 UMT5

基本零件编号 *K1

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philips)、

海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;

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MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层 氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。