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会员类型:
会员年限:7年
零件编号 NDB6020PTR-ND
现有数量 0
检查提前期
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
NDB6020P
描述 MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 42 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 60W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 24A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 35nC @ 5V
Vgs(值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1590pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(值) 60W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 50 毫欧 @ 12A,4.5V
工作温度 -65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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