SI4840DY-T1-E3分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单

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安富利（深圳）商贸有限公司

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系列：

类别：

集成电路（IC）

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电压 - 电源：

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产品信息

零件编号 SI4840DY-T1-E3TR-ND
现有数量 0
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4840DY-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO

类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值） 28nC @ 5V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.56W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 9 毫欧 @ 14A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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华为和中兴并没有就这一事态对财经记者做出回应，但在此前在华为消费者BG余承东的演讲中，他表示华为将继续为美国消费者提供产品。而中兴通讯终端CEO程立新也在CES现场对财经记者表示，美国市场是一个非常广大的市场，电信的市场在不断演进，需要一个长期的坚持投入和不放弃。

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