SI4214DDY-T1-GE3分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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系列：

类别：

集成电路（IC）

产品族：

电压 - 电源：

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产品信息

零件编号 SI4214DDY-T1-GE3TR-ND
现有数量 0
检查提前期
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4214DDY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 46 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 19.5 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值） 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 660pF @ 15V
功率 - 值 3.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
基本零件编号 *

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就在AT&T和华为终端部门的合作中止后的几天，来自美国当地媒体的报道，美国国会两位重量级议员发起一项提案，拟禁止政府机构采购华为、大唐及中兴的产品和服务，称其“与中国军方关系密切”。

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其他未分类(3)

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