STP120NF10 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单
产品信息
零件编号 497-4118-5-ND
现有数量 0
检查提前期
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STP120NF10
描述 MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 42 周
详细描述 通孔 N 沟道 100V 110A（Tc） 312W（Tc） TO-220AB
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET™ II
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 233nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 5200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 312W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 10.5 毫欧 @ 60A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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