原装SI5475DC-T1-E3 VISHAY分立半导体产品_安富利（深圳）商贸有限公司

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原装SI5475DC-T1-E3 VISHAY分立半导体产品

系列：

类别：

集成电路ic

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电压-电源：

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产品信息

Digi-Key 零件编号 SI7686DP-T1-GE3TR-ND
现有数量 3,000
可立即发货
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI7686DP-T1-GE3
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值） 26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1220pF @ 15V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 5W（Ta），37.9W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 9.5 毫欧 @ 13.8A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
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计划完成后CIT计算机信息工程学院的1,600名学生将可在Design Spark有助学习的环境中，利用其先进的设计工具和资源。其他正在计划中的活动包括比赛和工程相关项目，从而在学生群组建立相关意识。

CIT智能系统实验室主任李亦飞教授表示，“我们的工程学生们将可亲身体验行业中被广泛使用的设计软件，亦可获得关于原理图攫取的专门理论及知识，同时增强在该领域的实用能力。这将缩短毕业生从学校到工作的过渡期，并让他们具备扎实的技能，跟上工程行业节奏急速的发展。

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