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再者,飞索也与尔必达(Elpida)合作NAND Flash产品,将以尔必达在日本广岛的12寸晶圆厂做为生产基地,初期从43纳米切入,未来再持续导入32纳米,双方也宣布采用飞索MirrorBit Charge-Trapping技术的4Gb容量SLC(Single-Level Cell)芯片正式问世,计划2010年第4季试产,在2011年第1季可步入量产。
整体而言,飞索在重整之后,不论是产品线或是生产制造策略上,都做了相当大的转变,2010年第2季也持续交出获利成绩单,加上开始在各个产品在线与大厂进行策略联盟,飞索积极寻求转型的过程和成果,市场相当关注。