安富利（深圳）商贸有限公司

FQP8N80C介绍：

描述 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

制造商标准提前期 35 周

详细描述 通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 178W（Tc） TO-220AB

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.55 欧姆 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 45nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2050pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 178W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

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晶体管比电子管体积小很多，需要空间比电子管小很多，电器使用晶体管可以做的很小。无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。