安富利（深圳）商贸有限公司

BSP299H6327XUSA1介绍：

描述 MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 SIPMOS®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 4 欧姆 @ 400mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 1mA

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 400pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 1.8W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-SOT223-4

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。