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会员类型:
会员年限:7年
FEP6BT介绍:
描述 DIODE ARRAY GP 100V 6A TO220AB
制造商标准提前期 53 周
详细描述 Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 6A Through Hole TO-220-3
类别 分立半导体产品
二极管 - 整流器 - 阵列
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
二极管配置 1 对共阴极
二极管类型 标准
电压 - DC 反向(Vr)(值) 100V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 975mV @ 3A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 35ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 100V
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。