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FDP8440介绍:
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
制造商标准提前期 4 周
详细描述 通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 306W(Tc) TO-220-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 2.2 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 450nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 24740pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 306W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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MOSFET在数位电路上应用的另外一大优势是对直流(DC)讯号而言,MOSFET的栅极端阻抗为无限大(等效于开路),也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点,而是完全由电压控制栅极的形式。