安富利（深圳）商贸有限公司

SIHP33N60E介绍：

描述 MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 通孔 N 沟道 600V 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 散装 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 33A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 99 毫欧 @ 16.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 150nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 3508pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 278W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端元件。而在积体电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极（common bulk），所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。