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会员年限:7年
STU5N95K3介绍:
描述 MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 通孔 N 沟道 950V 4A(Tc) 90W(Tc) I-PAK
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH3™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 950V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 3.5 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 19nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 460pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 90W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-PAK
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
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场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.