相关证件: 
会员类型:
会员年限:7年
NX2301P,215介绍:
描述 MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 2A(Ta) 400mW(Ta),2.8W(Tc) TO-236AB(SOT23)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 120 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 6nC @ 4.5V
Vgs(值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 380pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散(值) 400mW(Ta),2.8W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
安富利(深圳)商贸有限公司,的配单。一手货源!价格优势!
所出的物料,原装!放心购买!
本公司为一般纳税人,可开16%增值税票!欢迎垂询!
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.