安富利（深圳）商贸有限公司

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IPB03N03LB G

描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 59nC @ 5V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 7624pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 150W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.8 毫欧 @ 55A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO263-3

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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