安富利（深圳）商贸有限公司

制造商

Microsemi Corporation

制造商零件编号

APT20M38SVRG/TR

描述 MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 200V 67A（Tc） 370W（Tc） D3Pak

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Microsemi Corporation

系列 POWER MOS V®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 67A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 225nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 6120pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 370W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 38 毫欧 @ 33.5A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D3Pak

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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USound执行官FerruccioBottoni补充说：“针对这些先进硅微扬声器，我们已经提供一套3D音效耳机开发工具，帮助游戏、一般娱乐、休闲和用例（培训或模拟）等领域的客户开发革命性的音频产品。