安富利（深圳）商贸有限公司

制造商

Microsemi Corporation

制造商零件编号

APT18M80B

描述 MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 8 周

详细描述 通孔 N 沟道 800V 19A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Microsemi Corporation

系列 POWER MOS 8™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 120nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 3760pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 500W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 530 毫欧 @ 9A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247 [B]

封装/外壳 TO-247-3

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