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发布时间: 2018/3/13 15:12:45 | 225 次阅读
制造商
Microsemi Corporation
制造商零件编号
APTGT75TDU120PG
描述 IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 32 周
详细描述 IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 1200V 100A 350W Chassis Mount SP6-P
类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 三,双 - 共源
电压 - 集射极击穿(值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(值) 100A
功率 - 值 350W
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(值) 250μA
不同 Vce 时的输入电容(Cies) 5.34nF @ 25V
输入 标准
NTC 热敏电阻 无
工作温度 -
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP6
供应商器件封装 SP6-P
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