安富利（深圳）商贸有限公司

制造商

Nexperia USA Inc.  

制造商零件编号

NX3008PBKMB,315

描述

MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN  

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求  

湿气敏感性等级（MSL）

1（无限）

详细描述

表面贴装 P 沟道 30V 300mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）

系列

-  

包装 ?

带卷（TR） ?  

零件状态

在售  

FET 类型

P 沟道  

技术

MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）

30V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

300mA（Ta）  

驱动电压（ Rds On， Rds On）

1.8V，4.5V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）

1.1V @ 250µA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）

0.72nC @ 4.5V  

Vgs（值）

±8V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）

46pF @ 15V  

FET 功能

-  

功率耗散（值）

360mW（Ta），2.7W（Tc）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）

4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V  

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型

表面贴装  

供应商器件封装

3-DFN1006B（0.6x1）  

封装/外壳

3-XFDFN  

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