原装现货库存IRF5803TRPBF集成电路IC
发布时间： 2017/12/27 16:00:05 | 267 次阅读
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF5803TRPBF
描述
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）
1（无限）
制造商标准提前期
18 周
详细描述
表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装 ?
带卷（TR） ?
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vgs（值）
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（值）
2W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
112 毫欧 @ 3.4A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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