安富利到货通知号FDN338P集成电路IC
发布时间： 2017/12/26 17:19:46 | 296 次阅读
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FDN338P
描述
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）
1（无限）
制造商标准提前期
12 周
详细描述
表面贴装 P 沟道 20V 1.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商
ON Semiconductor
系列
PowerTrench®
包装 ?
带卷（TR） ?
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.6A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Vgs（值）
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
451pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（值）
500mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
115 毫欧 @ 1.6A，4.5V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SuperSOT-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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