安富利（深圳）商贸有限公司

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFB7440PBF
描述 MOSFET N CH 40V 120A TO220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 20 周
详细描述 通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 143W（Tc） TO-220AB
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®，StrongIRFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.9V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4730pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 143W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.5 毫欧 @ 100A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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这进一步拉近了它与高通的差距，不过这款芯片不支持CDMA也就是无法支持全网通。今年三星推出的高端芯片Exynos8895，据geekbench4、安兔兔等多款手机处理器性能测试软件均显示在处理器性能方面超过高通的骁龙835，这凸显出三星在芯片研发方面所拥有的强大实力。