检查提前期
制造商
IDT, Integrated Device Technology Inc
制造商零件编号
70V3579S6BC8
描述
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）
4（72 小时）
制造商标准提前期
10 周
详细描述
SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 1.125Mb （32K x 36） 并联 6ns 256-CABGA（17x17）
类别
集成电路（IC）
存储器
制造商
IDT, Integrated Device Technology Inc
系列
-
包装 ?
带卷（TR） ?
零件状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 双端口，同步
存储容量
1.125Mb （32K x 36）
写周期时间 - 字，页
-
访问时间
6ns
存储器接口
并联
电压 - 电源
3.15 V ~ 3.45 V
工作温度
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
256-LBGA
供应商器件封装
256-CABGA（17x17）
基本零件编号
IDT70V3579
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