安富利（深圳）商贸有限公司

零件编号 497-7815-2-ND
现有数量 12,000 
可立即发货 
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
LM258PT
类别 集成电路（IC）
线性 - 放大器 - 仪表，运算放大器，缓冲器放大器
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
放大器类型 通用
电路数 2
输出类型 -
压摆率 0.6 V/μs
增益带宽积 1.1MHz
电流 - 输入偏置 20nA
电压 - 输入失调 1mV
电流 - 电源 700μA
电流 - 输出/通道 60mA
电压 - 电源，单/双（±） 3 V ~ 30 V，±1.5 V ~ 15 V
工作温度 -40°C ~ 105°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装 8-TSSOP
基本零件编号 LM*58




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Samsung Foundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
    三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
    Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28奈米FD-SOI嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展，首先是在2017年底进行嵌入式快闪记忆体(eFlash)的风险生产(risk production)，嵌入式MRAM (eMRAM)的风险生产则安排在2018年底。