大量供应IPD70N10S3-12半导体
发布时间： 2017/11/22 10:08:26 | 550 次阅读
Digi-Key 零件编号 IPD70N10S312ATMA1TR-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPD70N10S312ATMA1
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 83μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 4355pF @ 25V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 11.1 毫欧 @ 70A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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