FQP3P50晶体管 - FET，MOSFET - 单
发布时间： 2017/11/17 9:37:03 | 529 次阅读
零件编号
FQP3P50-ND
现有数量
2,776
可立即发货
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FQP3P50
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商
ON Semiconductor
系列
QFET®
包装 ?
管件 ?
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.7A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
660pF @ 25V
Vgs（值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（值）
85W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
4.9 欧姆 @ 1.35A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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