IRF640NPBF 晶体管 - FET,MOSFET - 单
发布时间: 2017/11/14 10:54:47 | 469 次阅读
零件编号
IRF640NPBF-ND
现有数量
2,666
可立即发货
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF640NPBF
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装 ?
管件 ?
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)
67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)
1160pF @ 25V
Vgs(值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(值)
150W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)
150 毫欧 @ 11A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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首汽约车近日与百度达成战略合作协议。未来双方将共同推动智慧交通的建设及车联网、的商业化运营。百度将向首汽约车提供包括DuerOS及Apollo平台在内的成套解决方案,而首汽约车将在自己的平台中进行自动驾驶的商业化运营。
“百度是自动驾驶领域的积极推动者,首汽约车是主流专车运营商,双方达成合作势必产生强大的化学反应。”对此,易观互联网汽车与出行研究中心分析师王晨曦表示,自动驾驶是专车领域未来发展的一个大趋势,而在自动驾驶的商业化这条路上,一定是先在商用车上进行落地,然后再过渡到私家车。因此她认为,自动驾驶在不久的将来会迅速实现商业化落地,中国也将在汽车产业弯道超车,在自动驾驶领域抢占先机。