IRF640NPBF 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单
发布时间: 2017/11/13 11:18:06 | 589 次阅读
零件编号
IRF640NPBF-ND
现有数量
2,663
可立即发货
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF640NPBF
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装 ?
管件 ?
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)
67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)
1160pF @ 25V
Vgs(值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(值)
150W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)
150 毫欧 @ 11A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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我也看过网上比较刻薄的说法,说现在科技界人工智能的水平相当于10个扫地机器人的智商,有人说很牛,那就相当于15个扫地机器人。这种说法是比较刻薄的,但是这些科技公司三句话不离人工智能,不离AI。AI这么火,我们并没有看到真正上了台阶或者有数量级上的变化,还是一个起步的阶段。
问:大多数厂商都在谈屏占比,为何你不以此衡量?
罗永浩:我们内部开发从来不量屏占比,但是做完量了之后吓一跳,我们屏占比比绝大多数国产手机都好,在我们之前的只有两个。一个是Z17,努比亚是用光学折射的方式看起来没有边框,但是代价是让机器更厚,这是很有特色很有追求的尝试。