安富利（深圳）商贸有限公司

Digi-Key 零件编号SI4410DYPBFTR-ND 

制造商Infineon Technologies 

制造商零件编号 SI4410DYTRPBF
 

类别   分立半导体产品   
晶体管 - FET，MOSFET - 单   

制造商Infineon Technologies 

系列HEXFET®  

包装 ? 带卷（TR） ?  

FET 类型 N 沟道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 30V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）  

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250µA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 45nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1585pF @ 15V  

Vgs（值） ±20V  

FET 功能 -  

功率耗散（值） 2.5W（Ta）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 13.5 毫欧 @ 10A，10V  

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型 表面贴装  

供应商器件封装 8-SO  

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 

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