安富利（深圳）商贸有限公司

Digi-Key 零件编号
 IRF730AS-ND 
制造商
Vishay Siliconix 
 制造商零件编号
IRF730AS 

类别  分立半导体产品   
晶体管 - FET，MOSFET - 单   

制造商Vishay Siliconix 

系列-  

包装 ? 管件 ?  

FET 类型 N 沟道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss） 400V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）  

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 250µA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 22nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 600pF @ 25V  

Vgs（值） ±30V  

FET 功能 -  

功率耗散（值） 74W（Tc）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1 欧姆 @ 3.3A，10V  

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型 表面贴装  

供应商器件封装 D2PAK  

封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 
 
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研究显示，近十年来，我国集成电路领域数量呈现持续快速增长的趋势。近两年来，中国集成电路年度公开数已超过了美国。但是，中国的集成电路产业起步较晚，技术受制于人，研发投入相对偏小，因此我国集成电路产业在设计、制造工艺、封装测试等技术创新和的积累上的差距依然较大。