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发布时间: 2018/7/11 9:43:02 | 452 次阅读
FDMS7558S介绍:
描述 MOSFET N-CH 25V 32A POWER56
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 32A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) 8-PQFN(5x6)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Ta),49A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 1.25 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 119nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 7770pF @ 13V
FET 功能 -
功率耗散(值) 2.5W(Ta),89W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-PQFN(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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从目前的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料。