安富利（深圳）商贸有限公司

SIRA02DP-T1-GE3介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 22 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5W（Ta），71.4W（Tc） PowerPAK® SO-8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 117nC @ 10V

Vgs（值） +20V，-16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 6150pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 5W（Ta），71.4W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerPAK® SO-8

封装/外壳 PowerPAK® SO-8

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。此时集电极电流变化与基极同相，在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。