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发布时间: 2018/4/13 10:19:59 | 537 次阅读
CY62256NLL-70PXC介绍;
描述 IC SRAM 256KBIT 70NS 28DIP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 10 周
详细描述 SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 70ns 28-DIP
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 MoBL®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 异步
存储容量 256Kb (32K x 8)
写周期时间 - 字,页 70ns
访问时间 70ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 通孔
封装/外壳 28-DIP(0.600",15.24mm)
供应商器件封装 28-DIP
基本零件编号 CY62256
安富利(深圳)商贸有限公司介绍;
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动态存储器每片只有一条输入数据线,而地址引脚只有8条。为了形成64K地址,必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上,借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元,锁存信号也靠着外部地址电路产生。