安富利（深圳）商贸有限公司

FDS4935介绍：

描述 MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

制造商标准提前期 26 周

详细描述 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 6.9A 900mW 表面贴装 8-SOIC

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装   带卷（TR）  

零件状态 在售

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 22 毫欧 @ 6.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 40nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1360pF @ 15V

功率 - 值 900mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOIC

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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