安富利（深圳）商贸有限公司

RQ3E150BNTB介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 40 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 45nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 3000pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 5.3 毫欧 @ 15A，10V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-HSMT（3.2x3）

封装/外壳 8-PowerVDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

安富利（深圳）商贸有限公司，的配单。一手货源!价格优势！

所出的物料，原装！放心购买！

本公司为一般纳税人，可开16%增值税票！欢迎垂询！                  

地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201

这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中快的一种。MOSFET在数位讯号处理上主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。